受美联邦在芯片及相关产业的封锁，在2011年以前，华夏的纳米微雕技术始终落后于国际水平，但在十七国峰会上签订互助条约后，美联邦打破对华芯片封锁，华夏在相关产业的技术革新突飞猛进

    截至目前，运用纳米微雕技术已能在15mm*15mm的正方形硅片上制作出5亿个40nm的mos管，其制作原理是借助激光蚀刻硅片留下痕迹，并用遮光掩膜覆盖住指定区域，便能在硅片上蚀刻出精确痕迹，在硅片被蚀刻后涂上氧化层和金属层反复蚀刻，便可批量制造硅片

    华夏以前面临的技术瓶颈主要在于掩膜制造，而不在于芯片生产，因为掩膜需要更高精度的机器慢慢加工，不仅成本极高，更可气的是在美联邦的刻意封锁下不论华夏付出多少代价，都无法获得高精度的加工机器

    好在现在这些都不是问题，如今华夏已成功突破技术障碍，最先进的蚀刻技术甚至能蚀刻出7nm大小的mos管

    这是人类目力远远不能企及的精度，试